- 高生産性を実現したい
- LEDの高輝度化を実現したい
- 化合物の高精細加工を実現したい
- 不揮発性材料をエッチングしたい
▲各材料での活用・活用事例
| 分類 | 枚葉/バッチ式ドライエッチャー | 枚葉式ドライエッチャー |
| 機種 |
APX300 |
APX300-S |
|---|---|---|
| 外観 | 装置構成のワンボックス化で面積生産性向上 |
豊富な実績を積んだE620プロセスチャンバーを最新のAPX300プラットフォームに搭載 |
| 特長 |
|
|
| 対象 ウエハー |
複数枚ウエハー 一括処理（トレイ仕様） |
▲LEDでの活用・加工事例
LED・パワーデバイスでの活用例
GaNの低ダメージ・高速加工でLED電極形成/素子分離工程の高生産性に貢献
PSS（Patterned Sapphire Substrate）加工でLED素子の高輝度化に貢献
φ2, 4, 6インチウエハの複数枚一括処理に対応
次世代パワーデバイスの各ニーズに合わせた高精細加工を実現
| ■SiCパワーデバイス SiO2マスクエッチング |
■SiCパワーデバイス SiCトレンチエッチング |
|---|---|
| ■Siパワーデバイス Siトレンチエッチング | ■SiCパワーデバイス SiCリセスエッチング、Poly-Si全面エッチバック |
通信系デバイス&MEMS・センサーでの活用例
IDT(櫛形電極）・各種金属の高精細加工を実現
厚い酸化膜・LT/LN加工の複数枚一括処理により高生産性を実現
化合物基板の高速・深掘り加工（GaAsビア・SiCビア・Siビア）
GaAsスクライブ・ダイシング加工
▲各材料での活用・活用事例
ジャイロ・圧力センサー、プリンタヘッドなどに利用される誘電膜・金属・Siの加工
■圧電MEMS PZT厚膜エッチング （FS-ICPプラズマ源アプリケーション）
PZT E/R ≧ 50 nm/min
Uniformity
In wafer ≦ ±5%
W to W ≦ ±1%
PR selectivity ≧ 0.7
Pt selectivity ≧ 8
■不揮発性材料エッチング （FS-ICPプラズマ源アプリケーション）
E/R 〜100nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ 0.6～1.5
No fence, No corrosion
E/R ≧400nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ ～2.0
No fence
E/R ≧200nm/min.
Unif. ≦ ±5%
HM Sel. ≧ 10
No fence
E/R ≧140nm/min.
Unif. ≦ ±5%
0.4um L/S
No fence
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