干式蚀刻机[解决方案]

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希望实现高生产率
希望实现LED的高亮度化
希望实现化合物的高精细加工
希望蚀刻非挥发性材料

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加工应用一览表

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▲各材料中的使用与使用示例

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松下干式蚀刻解决方案

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机型	APX300	APX300-S
分类	单晶片/间歇式干式蚀刻机	单晶干式蚀刻机
外观	装置一体化提高单位面积生产率。	最新的APX300平台搭载久经考验、实绩丰富的E620制程腔体。
优点	通过LED薄膜的高速加工实现高生产率将基板表面蚀刻成梯形、锥形等形状多个ESC电极，可直接吸附多个晶圆多晶圆批量加工处理（托盘规格）	丰富的工序程序库和加工实绩对应制程腔体不同构造和用途的3种等离子源 ①高精度（MS-ICP）②高速（BM-ICP）③非挥发性材料（FS-ICP）两种晶圆供应（大气传送、真空负载锁定方式）可装配灰化室、清洗室进行防腐处理
目标晶圆	多个晶圆批量处理（托盘规格）

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化合物半导体的应用实例

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LED/ 光通讯半导体应用示例

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LED

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GaN的低损伤和高速加工帮助实现LED电极形成/元件分离工序的高生产率
通过PSS（Patterned Sapphire Substrate）加工帮助实现LED元件的高亮度化
支持φ2、4、6英寸多张晶圆批量加工处理

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▲LED的使用和加工示例

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功率半导体应用示例

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▲各材料中的使用与使用示例

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高频通信器件应用示例

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▲各材料中的使用与使用示例

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MEMS和传感器应用示例

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■压电MEMS　PZT厚膜蚀刻（FS-ICP等离子源应用）

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W to W稳定性

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PZT E/R ≧ 50 nm/min
Uniformity
　In wafer ≦ ±5%
　W to W ≦ ±1%
PR selectivity ≧ 0.7
Pt selectivity ≧ 8

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■非挥发性材料蚀刻（FS-ICP等离子源应用）

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E/R 〜100nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ 0.6～1.5
No fence, No corrosion

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NiFe/NiCo蚀刻

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E/R ≧400nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ ～2.0
No fence

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Au蚀刻

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E/R ≧200nm/min.
Unif. ≦ ±5%
HM Sel. ≧ 10
No fence

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Pt蚀刻

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E/R ≧140nm/min.
Unif. ≦ ±5%
0.4um L/S
No fence

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Pt/SBT/Pt蚀刻

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_{干式蚀刻机}
APX300

装置一体化有助于提高单位面积生产率。

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_{干式蚀刻机}
APX300（S标配选项）

最新的APX300平台搭载久经考验、实绩丰富的E620制程腔体。

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06-6866-8675

受付時間 9:00～17:00（土日、祝日、年末年始、弊社所定の休日を除く）

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APX300

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■压电MEMS PZT厚膜蚀刻（FS-ICP等离子源应用）

■非挥发性材料蚀刻（FS-ICP等离子源应用）

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干式蚀刻机 APX300

干式蚀刻机 APX300（S标配选项）

■压电MEMS　PZT厚膜蚀刻（FS-ICP等离子源应用）

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APX300

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APX300（S标配选项）